|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ДВОЙНОГО ЦЕЗИЙ - ЛИТИЙ БОРАТА CSLIB6O10 |  |
Номер публикации патента: 2119976 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B029/22 C30B009/06 C30B009/12 | | Аналоги изобретения: | Yusuke Mori. "Growth of a nonlinear opticalcrystal: cesium lithium borate", J.Crystal Growth, 1995, v. 156, N 3, p. 107-109, SU, 552993 A, 1977. SU, 1656014 A1, 1991. |
| Имя заявителя: | Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН | | Изобретатели: | Пыльнева Н.А.
Кононова Н.Г.
Данилов В.И.
Юркин А.М.
Лисова И.А. | | Патентообладатели: | Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава. Состав раствор-расплава определен областью ABCDE фазовой диаграммы системы (Cs2O + Li2O) - B2O3 - MoO3 со следующими координатами точек, мол.доли: А: Li2O - 0,15; Cs2O - 0,15; B2O3 - 0,70; MoO3 - 0; B: Li2O - 0,17; Cs2O - 0,17; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,06; C: Li2O - 0,16; Cs2O - 0,16; B2O3 - 0,54; MoO3 - 0,14; D: Li2O - 0,13; Cs2O - 0,13; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,14; E: Li2O - 0,10; Cs2O - 0,10; B2O3 - 0,80; MoO3 - 0. Используют затравку, ориентированную в направлении [011], а снижение температуры расплава проводят от 810-840 до 770-800oC со скоростью 1-2oC/сутки. Применение растворителя MoO3 с низкой вязкостью, а также проведение роста в направлении [011] обеспечивает возможность получения крупных монокристаллов CLBO с размером до 55·50·17 мм3, характеризующихся высокими показателями оптического качества, что позволяет изготавливать оптические элементы размером до 10·10·15 мм3. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента