

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ПОЛИОРГАНОСИЛАНЫ И ДВУХСЛОЙНАЯ ПОЗИТИВНАЯ МАСКА ДЛЯ ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ОСНОВЕ ПОЛИОРГАНОСИЛАНА

Номер публикации патента: 2118964

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	92003409

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	C08G077/02 G03F007/039 G03F007/075
Аналоги изобретения:	1. R.D.Miller, T.Michl, Chem. Rev. 1989, 1359-1410. 2. US, патент, 4587205, G 03 C 5/00, 1986. 3. US, патент, 4464460, G 03 C 5/00, 1984.

Имя заявителя:	Государственный научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений
Изобретатели:	Тихонович Т.В. Иванов В.В. Башкирова С.А. Чернышев Е.А.
Патентообладатели:	Государственный научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений

Реферат

Использование: в микроэлектронике. Полиорганосиланы ф-лы 1, где R₁-этиладамантил, этил(диметиладамантил), R₂-метил, фенил, R₃-метил, фенил, циклогексил, m 2 - 3000, n 2 - 3000, м:n 1:(0,1 - 10) для изготовления позитивной маски для фотолитографии. 2 табл., 1 ил. Структура соединения ф-лы 1: л

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"