|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СВЧ - ПЛАЗМЕННОЕ ОСАЖДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ |  |
Номер публикации патента: 2117070 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C23C014/06 C23C014/44 | | Аналоги изобретения: | Tessier J., Klemberg-Sapieha J.E. etc. Third Can. Semic. technol. conf.-Ottawa, Ont., Can., Aug. 1986, 20-22. |
| Имя заявителя: | Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН | | Изобретатели: | Редькин С.В.
Аристов В.В. | | Патентообладатели: | Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН |
Реферат | |
СВЧ-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности с малым радиусом кривизны относится к области осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности и может быть использовано для изоляции проводников различных датчиков, работающих в агрессивных и химически активных средах, для пассивации различных металлических поверхностей, а также при изготовлении волоконно-оптических заготовок с различными показателями преломления по их сечению и протяженных изделий с малым радиусом кривизны. Способ СВЧ-плазменного осаждения диэлектрических пленок SiN4 или SiO2 на металлические поверхности включают синтез их в скрещенных потоках плазмообразующего и кремнийсодержащего газов вблизи (или на) нагретой ИК-излучением до 80 - 200oC обрабатываемой поверхности, причем поток ИК-излучения направлен навстречу плазменному потоку. Для получения равномерных покрытий на протяженных изделиях с малым радиусом кривизны изделия располагают перпендикулярно плазменному потоку и вращают вокруг своей продольной оси. 1 з.п. ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента