|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| РЕКОМБИНАНТНАЯ ПЛАЗМИДНАЯ ДНК PC - NS3, ОБЕСПЕЧИВАЮЩАЯ ИНТЕГРАЦИЮ КОМПЛЕКСА ГЕНОВ C, PRM, E, NS1, NS2A, NS2B, NS3 ВИРУСА КЛЕЩЕВОГО ЭНЦЕФАЛИТА (ВКЭ) В ГЕНОМ ВИРУСА ОСПОВАКЦИНЫ (ВОВ) И РЕКОМБИНАНТНЫЙ ШТАММ ВИРУСА ОСПОВАКЦИНЫ, ЭКСПРЕССИРУЮЩИЙ В КЛЕТКАХ ИММУНИЗИРОВАННОГО ОРГАНИЗМА КОМПЛЕКС ГЕНОВ C, PRM, E, NS1, NS2A, NS2B, NS3 ВИРУСА КЛЕЩЕВОГО ЭНЦЕФАЛИТА |  |
Номер публикации патента: 2112038 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C12N015/40 C12N015/86 A61K039/12 C12N007/01 | | Аналоги изобретения: | SU, авторское свидетельство 1490963, кл. C 12 N 15/00, 1993. SU, авторское свидетельство, 1788012, кл. C 12 N 15/51, 1993. |
| Имя заявителя: | Государственный научный центр вирусологии и биотехнологии "Вектор" | | Изобретатели: | Гайнуллина М.Н.
Дмитриев И.П.
Добрикова Е.Ю.
Хромых А.А.
Игнатьев Г.М.
Пугачев К.В.
Агеенко В.А.
Воробьева М.С.
Плетнев А.Г.
Беляев А.С.
Сандахчиев Л.С. | | Патентообладатели: | Государственный научный центр вирусологии и биотехнологии "Вектор" |
Реферат | |
Изобретение относится к области генетической инженерии и биотехнологии, в частности, к получению рекомбинантной плазмидной ДНК рС-NS3, обеспечивающей интеграцию комплекса генов C, prM, E, NSI, NS2A, NS2B, NS3 вируса клещевого энцефалита (ВКЭ) в геном вируса осповакцины (ВОВ), и соответствующего штамма ВОВ. Плазмида также содержит промотор р7, 5К ВОВ, синтетические фрагменты ДНК с сайтами инициации и терминации трансляции и последовательность ДНК гена тимидинкиназы ВОВ. Полученную плазмидную ДНК рС-NS3 используют для введения комплекса генов С-NS3 ВКЭ в геном ВОВ. Рекомбинантный ВОВ в клетках иммунизированного организма обеспечивает экспрессию комплекса антигенов ВКЭ, что способствует формированию протективного иммунитета против заражения ВКЭ. 2 с.п.ф-лы, 1 табл., 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента