На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ ОТ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОТЛОЖЕНИЙ

Номер публикации патента: 2111071

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  96116624		Получить полное описание патента

Реферат

Способ предназначен преимущественно для очистки внутренних поверхностей металлических труб от диэлектрических отложений. Осуществляют силовое воздействие на материал отложений цилиндрическими ударными волнами, генерируемыми при электрическом пробое, который осуществляют в точках, расположенных по крайней мере в двух рядах. Расстояние между рядами точек и точками в каждом ряду превышает не более чем в 3,2 раза толщину материала отложений. Параметры импульсов высокого напряжения, подаваемых между металлической поверхностью и игольчатыми электродами, удовлетворяют неравенствам
W ≥ 10^-3nh(τ_и·P_σ)²;
U_max > 2EH;
τ_и < 0,575 h/V;
τ_ф ≅ КЕН,
где W - энергия высоковольтного импульса, Дж; n - число разрядных каналов; P_σ - предел прочности материала отложений при одноосном растяжении, Н/м²; U_max - амплитуда импульса, В; τ_и - эквивалентная длина импульса генератора, соответствующая 50% запасенной в нем энергии, с; H - расстояние между остриями электродов и металлической поверхностью, м; E - напряженность электрического поля, удовлетворяющая неравенству E ≥ 4 · 10⁵ (1 - h/H) + E_отл h/H, В/м; E_отл - пробивная напряженность электрического поля в материале отложений, В/м; h - усредненная толщина слоя отложений, м; V - скорость продольной волны звука в материале отложений, м/с; K - коэффициент, равный 2 · 10^-13, с/В; τ_ф - длительность переднего фронта импульса, с. Упрощается технологический процесс, уменьшаются энергозатраты за счет одновременного создания в слое отложений нескольких зон с повышенной концентрацией механической энергии, разрушающей материал отложений. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Вернуться к списку