На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Номер публикации патента: 2110868

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  95119095		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах о использованием методов самосовмещенной технологии. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает создание в подложке первого типа проводимости скрытых слоев второго типа проводимости и осаждение эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование на поверхности первого диэлектрика, вытравливают в нем окон под базу, осаждение первой пленки поликремния, легирование поликремния примесью первого типа проводимости, осаждение второй пленки диэлектрика о толщиной не менее двух погрешностей совмещения на литографии, формирование маски фоторезиста таким образом, что границы эмиттерных окон в фоторезисте проходят над вертикальными участками второй пленки диэлектрика, образованными на ступенях окна под базу, и располагаются не ближе одной погрешности совмещения на литографии от каждой боковой стенки вертикальных участков диэлектрика, вытравливание диэлектрика на горизонтальных участках до поликремния, вытравливание поликремния, легирование кремния примесью первого типа проводимости, формирование пристеночного диэлектрика, осаждение второй пленки поликремния, формирование эмиттерных и базовых областей, создание контактов к ним и металлизации. Способ позволяет уменьшить размеры эмиттера без ухудшения других параметров транзистора и не требует применения сложных тех-нологических процессов, снижающих процент выхода годных. 11 ил.

Вернуться к списку