|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПРОЦЕСС ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛИКРЕМНИЯ ДО КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2110114 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/3065 | | Аналоги изобретения: | 1. JP, заявка, 63-44292, H 01 L 21/364, 1988. 2. US, патент, 4886569, H 01 L 21/306, 1989. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа НИИМЭ и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Лукасевич М.И.
Горнев Е.С.
Близнецов В.Н.
Гущин О.П.
Кисляков А.В.
Шевченко А.П.
Ячменев В.А. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа НИИМЭ и завод "Микрон" |
Реферат | |
Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной (ССТ) технологии с использованием поликремния на кремнии. Сущность изобретения: процесс селективного травления поликремния до кремния предусматривает покрытие пластины слоем диэлектрика до осаждения слоя поликремния, удаление слоя диэлектрика с поверхности пластины в местах последующего формирования рабочих кристаллов ИС, осаждение слоя поликремния, покрытие пластины слоем фоторезиста, вскрытие окон в слое фоторезиста в местах последующего травления слоя поликремния и удаление фоторезиста с периферийных областей пластины вне расположения рабочих кристаллов ИС и с межкристальных дорожек, плазмохимическое травление слоя поликремния до диэлектрика с контролем окончания травления и одновременно поликремния до кремния без существенных нарушений кремниевой пластины. Таким образом, травление поликремния производится одновременно до диэлектрика на периферии пластины и до кремния в рабочих областях при возможности контроля окончания процесса травления до диэлектрика. 1 з.п.ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента