|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА |  |
Номер публикации патента: 2108418 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B029/34 C30B015/00 | | Аналоги изобретения: | O.A.Buzanov et.al. A new approach to the growth of langasite crystals. 1996,/EEE p.131-136. K.Shimamura et.al. Growth and characterization of lanthanum gallium silieate La<SB>3</SB>,Ga<SB>5</SB>SiO<SB>1</SB><SB>4</SB> single crystals for piezoelectric applications. Iournal of Orystal Growth, 1996, 163, p.388-392. |
| Имя заявителя: | Товарищество с ограниченной ответственностью Фирма "ФОМОС" | | Изобретатели: | Бузанов О.А. | | Патентообладатели: | Товарищество с ограниченной ответственностью Фирма "ФОМОС" |
Реферат | |
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. В данном способе монокристаллы ЛГС выращивают методом Чохральского. Способ включает загрузку в тигель шихты, полученной методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС) и соответствующей составу La3Ga5SiO14. Перед расплавлением шихты токами ВЧ создают защитную атмосферу из смеси аргона или изота с добавлением 2 - 15 объемных % воздуха при давлении 1,1 - 1,8 атм.: расплавленную шихту выдерживают в течение 2 - 15 ч., после чего давление защитной атмосферы уменьшают до значения из диапазона 1,00 - 1,09 атм. Далее вводят затравочный ориентированный кристалл в контакт с поверхностью расплава и вытягивают ориентированный кристалл из расплава. После вытягивания кристалла проводят высокотемпературный отжиг. 1 з.п.ф-лф.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента