Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА

Номер публикации патента: 2108418

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 97103750 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/34   C30B015/00    
Аналоги изобретения: O.A.Buzanov et.al. A new approach to the growth of langasite crystals. 1996,/EEE p.131-136. K.Shimamura et.al. Growth and characterization of lanthanum gallium silieate La<SB>3</SB>,Ga<SB>5</SB>SiO<SB>1</SB><SB>4</SB> single crystals for piezoelectric applications. Iournal of Orystal Growth, 1996, 163, p.388-392. 

Имя заявителя: Товарищество с ограниченной ответственностью Фирма "ФОМОС" 
Изобретатели: Бузанов О.А. 
Патентообладатели: Товарищество с ограниченной ответственностью Фирма "ФОМОС" 

Реферат


Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. В данном способе монокристаллы ЛГС выращивают методом Чохральского. Способ включает загрузку в тигель шихты, полученной методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС) и соответствующей составу La3Ga5SiO14. Перед расплавлением шихты токами ВЧ создают защитную атмосферу из смеси аргона или изота с добавлением 2 - 15 объемных % воздуха при давлении 1,1 - 1,8 атм.: расплавленную шихту выдерживают в течение 2 - 15 ч., после чего давление защитной атмосферы уменьшают до значения из диапазона 1,00 - 1,09 атм. Далее вводят затравочный ориентированный кристалл в контакт с поверхностью расплава и вытягивают ориентированный кристалл из расплава. После вытягивания кристалла проводят высокотемпературный отжиг. 1 з.п.ф-лф.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"