Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА

Номер публикации патента: 2108417

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 96113676 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/00   C30B029/34    
Аналоги изобретения: A.N.Gatalskaja et al. Langasitn crystal juality improvement aimed at hinh a resonators faxrication. Proc. 1995 IEEE Ieternational Frequency Control Symposium. San Francisoo. 

Имя заявителя: Товарищество с ограниченной ответственностью Фирма "ФОМОС" 
Изобретатели: Бузанов О.А. 
Патентообладатели: Товарищество с ограниченной ответственностью Фирма "ФОМОС" 

Реферат


Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката. Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является выращивание монокристаллов ЛГС, не содержащих рассеивающих центров и блоков и пригодных для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом твердофазового синтеза получают шихту путем смешивания оксидов лантана, галлия и кремния, при этом оксид галлия берут в избытке относительно стехиометрического состава. Шихту расплавляют при пониженном давлении 0,6 с 0,95 атм. Рост кристаллов проводят на предварительно ориентированную завтравку. 1 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"