На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ФОНОНОВ В РЕШЕТЧАТЫХ СТРУКТУРАХ

Номер публикации патента: 2107978

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94027503		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к физике твердого тела и может быть использовано в акустических системах, а также в целях создания высокотемпературной сверхпроводимости. Сущность изобретения заключается в том, что для образования высокоэнергетических фонов решетчатую структуру твердого тела подвергают постоянному внешнему воздействию магнитного поля, электрического поля, искусственной деформации по отдельности или в различных количественных сочетаниях, а затем возбуждают с помощью переменных полей и(или) частиц до появления высокоэнергетических фононов, которые образуют бегущие акустические волны как объемного, так и поверхностного типа или сверхпроводящее состояние (при ℏω_м>=кТ) в проводниках, при этом образуется зависимость верхнего предела энергии фононов ℏω_м от величины постоянного внешнего воздействия, которое влияет как на энергию акустических волн, так и на температуру перехода &thetas;_п проводника в сверхпроводящее состояние k&thetas;_п=ℏω_м (где k и ℏ -постоянные, соответственно Больцмана и Планка; ω_м - максимальная частота фононов). 1 з. п. ф-лы, 2 ил.

Вернуться к списку