|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГРАДУИРОВКИ РЕЗОНАНСНОГО ДАТЧИКА ПАРАМЕТРОВ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ НА ПРОВОДЯЩЕЙ ПОДЛОЖКЕ |  |
Номер публикации патента: 2107356 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | DE, патент, 1214792, кл. 21 G 11/02, 1966. SU, авторское свидетельство, 265986, кл. G 01 V 27/02, 1962. Ахманаев В.Б. и др. Резонатор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов. -Электронная техника. Сер.Электроника СВЧ, 1981, вып.4 (328) с.48 - 51. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | | Изобретатели: | Тэгай В.А.
Енишерлова-Вельяшева К.Л.
Детинко М.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность. Сущность изобретения: в способе градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя однослойной полупроводниковой структуры с изотипной проводящей подложкой , заключающемся в расположении двуслойных образцов, один из слоев которых проводящий, а другой высокоомный и аттестован по произведению удельного электрического сопротивления ρ на толщину d, высокоомным слоем на измерительное отверстие резонансного датчика и снятие зависимости выходного сигнала резонансного датчика от произведения ρ · d, в качестве проводящего слоя используют изотипную подложку, применяемую при изготовлении измеряемой эпитаксиальной структуры, соединенную термокомпрессией с высокоомным слоем, и параметры ρ и d которого выбирают при ρ·d>2600 Ом·см·мкм идентичными параметрам измеряемых эпитаксиальных слоев и не превышающими соответственно 65 Ом · см и 150мкм, а при ρ·d≅2600 Ом·см·мкм лежащими в пределах 0,42 ≅ρ≅17,3 Ом·см , 60 ≅ d ≅ 150 мкм. 1 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента