|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ АНИЗОТРОПНОГО ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2106717 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/308 | | Аналоги изобретения: | 1. Бондаренко В.П. и др. Новые области применения пористого кремния в полупроводниковой электронике. Зарубежная электронная техника. 1989, N 9, с. 80 - 82. 2. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Под ред. Луфт Б.Д. - М.: Радио и связь, 1982, с. 102 - 117. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Смолин В.К. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем, в частности для формирования рельефа с заданной геометрией на поверхности структур при изготовлении кристаллографически ограненных канавок, лунок, мезаструктур, мембран и других трехмерных топологических элементов. Сущность изобретения: в способе анизотропного травления кристаллов кремния формируют на рабочей стороне подложки маску, затем нерабочую сторону подложки облучают ионами гелия с энергией не менее 100 кэВ, а дозу облучения определяют на рабочей стороне контрольного образца по изменению значения периода кристаллической решетки кристалла, когда его величина перестает зависеть от дозы, обрабатывают подложку в анизотропно травящих растворах. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента