|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 2105385 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/872 | | Аналоги изобретения: | 1. T.Iakada, T.Makimura, T.Ishibashi, Unbiasol I n P detectors in the submillimeter wave region, Electronics letters, 1980, v. 16, N 20, p. 765 - 766. 2. A.Cristou, I.E.Davey, W.F.Tzeng, M.L.Bark, I n P mixer diodes with etched via oh.mic contacts, Electronics letters, 1984, v. 20, N 9, p. 378 - 379. 3. R.E.Neiclert, S.C.Binari. Millimeter - Wave Planar Schottky Diodes and Their Small - Signal Equivalent Circuit, IEEE Trans. on MTT, v. 37, N 11, p. 1694 - 1698. 4. JP, заявка, 54-20319, кл.H 01 L 29/91, 1979. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов | | Изобретатели: | Малаховский О.Ю.
Божков В.Г.
Мисевичус Г.Н.
Кораблева Т.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор с барьером Шоттки на фосфиде индия, содержит контакт металл-фосфид индия, сформированный в окне диэлектрика и защитного эпитаксиального слоя твердого раствора InxGa1-x As (0≅x≅0,53), нанесенного в процессе эпитаксиального роста на рабочий слой InP. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента