Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУР

Номер публикации патента: 2105384

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94035817 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L023/34    
Аналоги изобретения: 1. Письма в ЖТФ. - 1991, т.17, вып.13, с.54. 2. Письма в ЖТФ. - 1991, т.17, вып.11, с.37. 

Имя заявителя: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина 
Изобретатели: Емельянов А.В.
Портнов С.М.
Рябоконь В.Н.
Самсонов Н.С. 
Патентообладатели: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина 

Реферат


Использование: технология получения наноструктур на основе соединений A2B6, предназначенных, в частности, для изготовления фоточувствительных наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе получения наноструктур на основе соединений A26, включающем внедрение в пористую диэлектрическую подложку частиц нанометрового размера указанного соединения, сначала производят очистку до атомарного уровня внешних и внутренних поверхностей подложки, а затем на ней методом молекулярного наслаивания формируют переходный слой из атомов соединения A2B6 со стехиометрией, обеспечивающей объемно-структурное соответствие кристаллических решеток на границе раздела, после чего на поверхности переходного слоя выращивают слой из соединения A2B6 с объемом вещества в каждой поре не менее объема двух элементарных ячеек в кристаллической решетке соединения, а затем производят пассивацию внешней поверхности подложки.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"