|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2102815 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/208 | | Аналоги изобретения: | 1. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. - М.: Металлургия, 1983, с.224. 2. Алферов Ж.И. и др. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок, ч.1. - Новосибирск: Наука, СО АН СССР, 1977, с.209-214. |
| Имя заявителя: | Московская государственная академия тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова | | Изобретатели: | Акчурин Р.Х.
Жегалин В.А.
Сахарова Т.В. | | Патентообладатели: | Московская государственная академия тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова |
Реферат | |
Использование: технология полупроводников, для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых приборов методом жидкофазной эпитаксии. Устройство, включающее корпус 1, емкости для исходных 3 и отработанных 2 растворов- расплавов, поршни 7, ячейки для подложек 13, средства перемещения 17, 19, систему каналов и отверстий для принудительной подачи и удаления растворов-расплавов к поверхности подложек, дозирующую емкость 10, дополнительно содержит горизонтально расположенный в корпусе пакет плоскопараллельных пластин 4, 5, 6, 9 с возможностью их возвратно-поступательного движения относительно друг друга, емкости для исходных растворов-расплавов расположены между пластинами, а ячейки для подложек и система каналов и отверстий - в пластинах, при этом средство перемещения поршней снабжено пружиной 18. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента