|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА С ДВУМЯ ТИПАМИ МОП - ТРАНЗИСТОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2100874 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/092 | | Аналоги изобретения: | 1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 2. - М.: Мир, 1984, с. 70 - 78, рис. 53, 54, 58 и 59. 2. Технология СБИС /Под ред. С.Зи. Кн. 2. - М.: Мир, 1986, с. 207 - 212, рис. 11.12. |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | | Изобретатели: | Ракитин В.В. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина |
Реферат | |
Использование:изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров. Сущность изобретения: предлагается в конструкции интегральных схем на полупроводниковой подложке, частично покрытой маскирующим слоем, последний выполнять в виде локальных областей, отделенных друг от друга определенной ширины зазорами, протяженными вдоль взаимно перпендикулярных направлений, которые в результате образуют односвязную область. В непокрытой маскирующим слоем части подложки - в зазорах между маскирующими областями - формируются все элементы интегральной схемы. Маскирующие области остаются свободными от проводников. Выбором толщины маски, большей ширины проводников, обеспечивается возможность независимого формирования двух взаимно перпендикулярных слоев проводников. 2 з. п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента