|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНКИ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ |  |
Номер публикации патента: 2100870 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | 1. J. Vac.Scien. and. Techn. - 1970, 7, p. 490. 2. US, патент, 3520740, кл. 148 - 175, 1970. 3. Yoshihara Hideo et al. Thin Solid Films, 1980, 76, N 1, p. 1 - 10. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный университет | | Изобретатели: | Рубинштейн В.М.
Тригуб В.Б.
Суровцев И.С.
Петраков В.И.
Толоконников Н.П. | | Патентообладатели: | Воронежский государственный университет |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для получения пленки карбида в плазму ВЧ газового разряда вводят SiO2 и углеводородное соединение, размещают подложки в зоне конденсации паров SiC. Для повышения воспроизводимости относительного содержания SiC в пленке в плазму дополнительно вводят пары воды с расходом их по массе 10 - 30% от расхода углеводородного соединения. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента