|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ОРИЕНТИРОВАННЫХ СИСТЕМ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2099808 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J009/02 H01J001/30 C30B025/00 C30B029/62 | | Аналоги изобретения: | 1. US, патент, 3536538, кл. 156-609, 1970. 2. FR, патент, 2658839, кл. C 30 B 29/62, H 01 J 1/30, 1991. 3. D.W.F. James and C.Leyis, Silicon whisker growth and epitaxy by wapour - liquid-solid mechanism, Brit.I.Appl.Phys, 16, 1089-1094, 1965. |
| Имя заявителя: | Гиваргизов Евгений Инвиевич | | Изобретатели: | Гиваргизов Евгений Инвиевич | | Патентообладатели: | Гиваргизов Евгений Инвиевич |
Реферат | |
Использование: в электронном материаловедении, и микроэлектронике, в частности, вакуумной для выращивания систем нитевидных кристаллов для автоэмиссионных катодов. Сущность изобретения: способ относится к категории кристаллизации веществ из паровой фазы и состоит в том, что вещество для кристаллизации нитевидных кристаллов переносится от твердого тела к подложке. Источник материала и монокристаллическая, специальным образом ориентированная подложка имеют плоские поверхности, причем эти поверхности обращены друг к другу, параллельны и находятся на близком расстоянии друг от друга. Между указанными поверхностями создается температурный градиент и обеспечивается векторно-однородное температурное поле. Перенос вещества обеспечивается химической реакцией или посредством процесса испарения и конденсации. Локальный рост кристаллов обеспечивается использованием агента-растворителя, который наносится на подложку в виде частиц путем испарения через маску-трафарет или посредством фотолитографического процесса, причем в последнем случае предусматривается процедура, исключающая контакт растворителя с границей раздела подложка-защитная маска, используемая в фотолитографии. Устройство, обеспечивающее необходимое температурное поле, включает, например, высокочастотный источник нагрева и специальное конусно-цилиндрическое нагреваемое тело. Другой вариант устройства предполагает односторонний нагрев источника или подложки, например, лазерами или лампами. Предусматривается комбинация всех видов нагрева, упомянутых выше. 3 с. и 23 з.п. ф - лы., 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента