|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК |  |
Номер публикации патента: 2098887 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | Лабунов В.А. и др. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники. - Зарубежная электронная техника. - М.: ЦНИИ "Электроника", 1983, N 11, с. 3 - 66. Лабунов В.А. и др. Пористый кремний в полупроводниковой электронике.- Зарубежная электронная техника. - М.: ЦНИИ "Электроника, 1978, N 15, с. 44 - 45. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в производстве полупроводниковых приборов, а именно в технологии изготовления кремниевых пластин-подложек с низким содержанием дефектов и фоновых примесей. Сущность изобретения: производят формирование анодной обработкой в растворе фтористоводородной кислоты на нерабочей стороне подложки слоя пористого кремния, при этом во время анодирования подложки упруго деформируют изгибом, затем производят отжиг в инертной атмосфере, при этом также подложку упруго деформируют изгибом, меняя знак деформации на противоположный, производят окисление пористого кремния и удаление окисленного слоя. 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента