|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ БИПОЛЯРНАЯ СХЕМА И - НЕ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2094910 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/04 H03K019/08 | | Аналоги изобретения: | 1. Авторское свидетельство СССР N 1128387, кл.H 03K 19/088, 1984. 2. Авторское свидетельство СССР N 1744738, кл.H 01L 27/04, 1990. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) | | Изобретатели: | Трубочкина Н.К.
Петросянц К.О. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, для создания конструкций логических комбинированных Би-КМОП сверхбольших интегральных схем со сверхмалым потреблением мощности. Сущность изобретения: комплементарная биполярная схема И-НЕ, являющаяся функционально-интегрированной схемой, совместимой с КМОП-технологией, обладает меньшей в сравнении с прототипом потребляемой мощностью, что обеспечивается следующими существенными признаками: введены первый и второй нагрузочные p-n-p транзисторы, объединены их базы и подключены к выходу схемы, в результате нагрузочные p-n-p транзисторы работают на границе запирания и не потребляют тока от источника питания, когда хотя бы на один из входов схемы подано напряжение логического нуля. Упрощение и удешевление технологии достигаются за счет использования функциональной интеграции полупроводниковых областей всех транзисторов схемы и стандартного КМОП-процесса изготовления предлагаемой схемы. Ослабление паразитного эффекта "защелкивания" достигается за счет введения в конструкцию схемы низкоомной n+-подложки, в итоге уменьшается коэффициент усиления по току паразитного p-n-p транзистора и паразитное сопротивление n-подложки Rx. Исключение паразитных эффектов "защелкивания" и токов утечки, уменьшение паразитных емкостей, повышение быстродействия и радиационной стойкости достигаются за счет размещения конструкции схемы на изолирующей подложке, в результате исключаются изолирующие глубокие окаймляющие схему p+-области, обладающие паразитными утечками тока, и емкостями, а также объемными и поверхностными областями, где может развиваться генерация носителей заряда, вызванная действием радиации. 3 с.п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента