|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ОПТИЧЕСКИЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ ГРАНАТА |  |
Номер публикации патента: 2093922 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | Матковский А.О. и др. Воздействие ионизирующих излучений на материалы электронной техники. - Львов, Свет, 1991, с. 212. Ковалева Н.С. и др. Связь образования радиационных центров окраски с ростовыми дефектами в кристаллах ИАГ: Nd. Квантовая электроника, 1991, т.8, N 11, с. 2435 - 2438. |
| Имя заявителя: | Московский институт стали и сплавов | | Изобретатели: | Костишин В.Г.
Летюк Л.М.
Бугакова О.Е.
Ладыгин Е.А.
Мусалитин А.М. | | Патентообладатели: | Московский институт стали и сплавов |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к физике твердого тела, в частности к оптической спектрофотометрии, и может быть использовано при отборе подложек для наращивания эпитаксиальных пленок феррит-гранатов, применяемых в производстве приборов оптоэлектроники, работающих в условиях воздействия ионизирующих излучений. Сущность изобретения: оптический способ контроля качества кристаллов со структурой граната состоит в том, что спектры пропускания партии пластин-подложек на основе галлиевых гранатов регистрируются в диапазоне 36000-8000 см-1, а об их непригодности для наращивания эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок, работающих в полях ионизирующих излучений, судят по наличию в спектрах пропускания полосы поглощения в области 35500-25000 см-1 с максимумом при 29000 см-1. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента