|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВОГО МАГНИТНОГО ЭКРАНА |  |
Номер публикации патента: 2089973 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L039/24 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4828931, кл. H 05 K 9/00, 1989. 2. Патент США N 4942379, кл. H 01 F 7/22, 1990. |
| Имя заявителя: | Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья Кольского научного центра РАН | | Изобретатели: | Колосов В.Н.
Гель Р.П.
Дроботенко Г.А. | | Патентообладатели: | Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья Кольского научного центра РАН |
Реферат | |
Использование: криогенная техника, изготовление сверхпроводников для ослабления магнитных и электромагнитных полей, а также для получения магнитного вакуума. В основе изобретения лежат эффект Мейсснера-Оксенфельда и закон сохранения магнитного потока в двусвязных сверхпроводниках. Сущность изобретения: слой с нормальной проводимостью экрана, на который электролизом наносят сверхпроводящий слой на основе ниобия в атмосфере инертного газа, выполняют в виде полой сферы с толщиной, составляющей 0,03-0,20 ее диаметра, при этом сверхпроводящему слою обеспечивают изотропность относительно силы пиннинга. В качестве материала полой сферы используют медь, молибден, графит, стеклоуглерод. Изотропность сверхпроводящего слоя относительно силы пиннинга может быть достигнута нанесением слоя за два и более цикла электролиза, в промежутках между которыми сверхпроводник извлекают из электролита; проведением электролиза в атмосфере гелия и аргона с механической обкаткой сверхпроводника; проведением электролиза в атмосфере смеси аргона и азота. В качестве сверхпроводящих материалов могут быть использованы Nb, Nb3Sn и NbCx (x=0,97-0,99). Достигаемый технический результат заключается в обеспечении высокой степени ослабления магнитного поля независимо от направления его воздействия, повышении экранируемого объема при минимальном расходе материала сверхпроводника, упрощении процесса изготовления сверхпроводникового магнитного экрана. Изобретение также решает задачу изготовления экранов для получения магнитного вакуума. 13 з.п.ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента