|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГИПОТИОФОСФАТА ОЛОВА SN*002P*002S*006 ИЛИ ОРТОТИОФОСФАТА ИНДИЯ INPS*004 |  |
Номер публикации патента: 2089492 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C01B025/00 | | Аналоги изобретения: | 1. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 23, N 5, 1987, с. 733 - 738. 2. J. appl. P hus. A30, N 2, 1983, р. 109 - 115. 3. Патент США N 4579724, кл. 423 - 303, 1986. 4. Z. anorg. und allg. Chem., 356, N 3 - 4, 1968, 189 - 194. 5. Mat. Res. Bull., N 9, 1974, р. 401 - 410. 6. Патент США N 4267157, кл. 423 - 303, 1981. |
| Имя заявителя: | Ростовский государственный университет | | Изобретатели: | Свирская С.Н.
Нестеров А.А.
Рыбина И.Н.
Лупейко Т.Г.
Проценко Н.П.
Рогач Е.Д. | | Патентообладатели: | Ростовский государственный университет |
Реферат | |
Изобретение относится к способу получения гипотиофосфата олова Sn2P2S6 и ортотиофосфата индия InPS4, которые могут использоваться полупроводниковой, пьезоэлектрической и радиоэлектронной техникой. С целью удешевления процесса синтеза и его реализации с использованием широкодоступных исходных реагентов во взаимодействие на воздухе при нагревании с красным фосфором и серой вводят оксиды металлов. Процесс проводят в две стадии с выдержкой по 20-30 мин на каждой стадии с промежуточным охлаждением до комнатной температуры и измельчением продукта. Синтез гипотиофосфата олова проводят при 450-550 oC, а синтез ортотиофосфата индия - при 350-450 oC. Выход тиофосфатов составляет 98 %. Новый способ синтеза позволяет удешевить процесс синтеза гипотиофосфата олова в 5,8 раза, а ортотиофосфата индия - в 1,4 раза за счет использования более дешевых исходных реагентов. Тонкие пленки (h≈5,8 мкм), напыленные из Sn2P2S6, синтезированного по предлагаемому способу, имеют при объемном возбуждении на низких частотах пьезочувствительность γ ~ 5,5-6,0·10-7 В/Па и относительную диэлектрическую проницаемость εт@33/ε0~ 360-400. . 4 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента