Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


БАЗОВЫЙ МАТРИЧНЫЙ КРИСТАЛЛ ОПЕРАТИВНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Номер публикации патента: 2089012

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5031020 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/82    
Аналоги изобретения: 1. Заявка ЕПВ N 0093003, кл. H 03 L 23/02, 1983. 2 Braeckelmann W. Delker K., Gonauser E. et al A Subnanosecond Masterslice Array Offering Logic Plus Memoru. IEEE Anternational Solid - State Circuits Conference 1979, p. 64, 65, 280, fig. 2,5. 

Имя заявителя: Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" 
Изобретатели: Игнатьев С.М. 
Патентообладатели: Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковым интегральным схемам и предназначено для использования в оперативных запоминающих устройствах, выполняемых на основе базовых матричных кристаллов. Цель: в расширении функциональных возможностей базового матричного кристалла оперативного запоминающего устройства за счет того, что благодаря введению конструктивных элементов: входов - выходов 7 обмена информации, трасс 3 для размещения дополнительных словарных шин 4 и трасс 8 для размещения связей 9 обмена информации, создается возможность формирования на основе матрицы элементов памяти запоминающих ячеек 10 и содержащих их накопителей информации с параллельным доступом по варьируемому в некоторых пределах числу независимых произвольно адресуемых информационных каналов - портов. Базовый матричный кристалл также содержит входы 2 выборки, информационные входы - выходы 5 и разрядные шины 6. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"