Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ВАКУУМНЫЙ ТРАНЗИСТОР КАРПОВА

Номер публикации патента: 2089004

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 93041195 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01J021/10   H01J031/12   H01J001/30    
Аналоги изобретения: 1. Валиев К.А. и др. Применение контакта металл - полупроводник в электронике. - М.: Радио и связь, 1981, с. 112 - 113. 2. IVMC-93, Six-th International Vacuum. Microelectronics Conference, July 12 - 15. 1993, Technical Digest, v. 99 - 100. 

Имя заявителя: Карпов Леонид Данилович 
Изобретатели: Карпов Леонид Данилович 
Патентообладатели: Карпов Леонид Данилович 

Реферат


Использование: в электронной технике в вакуумных интегральных схемах в качестве активных элементов, управляемых по току, а также в плоских катодолюминисцентных дисплеях. Изобретение позволяет повысить надежность транзистора, стабильность его работы во времени и сократить энергоемкость. Сущность изобретения: в вакуумном полевом транзисторе, содержащем расположенные на подложке эмиттер, анод и затвор, причем а подложке между кромкой эмиттера и анодом выполнено углубление, а кромка эмиттера выступает над углублением, затвор выполнен на поверхности эмиттера и образует с ней барьер Шоттки. Кроме того, затвор может быть расположен параллельно или под углом к кромке эмиттера. Кроме того, анод может быть выполнен в виде полосков, расположенных перпендикулярно к кромке эмиттера. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"