|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИНВЕРСИИ В АКТИВНОМ ЭЛЕМЕНТЕ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА |  |
Номер публикации патента: 2086058 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01S003/094 | | Аналоги изобретения: | 1. Бодов М.Е. и др. Исследование инверсии в усилительном модуле на активном элементе с прямоугольным сечением. Квантовая электроника, 1978, N 5, с. 1072. 2. K.Natio et al. Jpn. J. Appl. Pliys. 1992, 31, р. 295, part 1, N 2a, February. 3. Зверев Г.М. и др. Лазеры на алюмоиттриевом гранате с неодимом. - М.: Радио и связь, 1985. 4. R.Solarz. High Power Diode Pumped Solid State Lasers`, Proceed of the International Conference on Lasers and Optoelectronics, 16 - 18 oct, 1992. Beijing, China. SPIT, Vol. 1979, рр. 114-123. 5. W.F.Krupke, L.L.Chase. Ground State Depleted Solid-State Lasers: Principless, characteristics and scaling: Optical and Quantum Electronics 22 (1990), 81-822. 6. M.Senita, Sh. Kimura, Induced Emission Cross Cross Section of the Nd<SP>3+</SP>: Y<SB>3</SB>Al<SB>5</SB>O<SB>12</SB> grown by floating zone method: J.Appl. Phys. 54 (6), June 1983, р. 3415 - 3421. |
| Имя заявителя: | Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН | | Изобретатели: | Бурцев А.В.
Крупенников А.А.
Сенатский Ю.В. | | Патентообладатели: | Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при работе с твердотельными лазерами, применяемыми в лазерной технологии, лазерной связи, научных исследованиях, в установках, разрабатываемых по программе лазерного термоядерного синтеза. Сущность: Способ формирования заключается в следующем: используется активный элемент с температурным градиентом в нем, производится селективное по длине волны возбуждение излучением ионов активатора так, что переходы на уровни накачки с энергией εj@н и затем на метастабильный уровень с энергией εm совершают только ионы, находящиеся только на возбужденном уровне i с энергией 0 < εi< εm . При этом интенсивность накачки 1н поддерживают на определенном уровне; среднюю по сечению активного элемента температуру поддерживают также на определенном уровне. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента