|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВАРИКАП |  |
Номер публикации патента: 2086045 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/93 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 3962713, кл. H 01 L 29/93, 1973. 2. Sukegawa J., Fajikawa K., Nishizawa J., Solid State Slectronics, 1963, N 1, pp. 1 - 24. |
| Имя заявителя: | Иоффе Валерий Моисеевич | | Изобретатели: | Иоффе Валерий Моисеевич | | Патентообладатели: | Иоффе Валерий Моисеевич |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к варикапам полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения. Сущность изобретения: варикап, состоящий из полупроводниковой пленки с омическим контактом, размещенной на подложке противоположного в пленкой типа проводимости или на металлической подложке, образующей с пленкой барьер Шоттки, с другим контактом. На рабочем участке пленки 0≅x≅xmax, Z1(x)≅z≅Z2(x) создан либо неоднородный профиль распределения примеси Ni(x, y), либо неоднородный профиль толщины пленки D(x), либо неоднородный профиль распределения примеси и толщины пленки, выбор профиля легирования и толщины пленки ограничены условием полного обеднения рабочего участка пленки основными носителями заряда до пробоя p-n перехода или барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения:
 ,
где
Ui(x) - напряжение пробоя полупроводниковой пленки в сечении x; y - координата, отсчитываемая от общей с подложкой поверхности пленки в направлении вдоль толщины пленки, q - элементарный заряд; εs - диэлектрическая проницаемость полупроводниковой пленки; Uk - встроенный потенциал; омический контакт к пленке сформирован на свободной поверхности ее рабочего участка и выполнен в виде полосок, соединенных друг с другом или одной полоски, при этом заданная зависимость емкости от напряжения C(U) в диапазоне внешних запирающих напряжений Umin≅U≅Umax обеспечивается либо выбором функциональной зависимости размера рабочего участка пленки F(x)=Z2(x)- Z1(x) в направлении z, либо выбором D(x), либо Ni(x,y), где x,z - криволинейные ортогональные координаты в плоскости общей с подложкой поверхности пленки, в том числе и прямоугольные, за пределами рабочего участка пленки выбор профиля легирования и толщины пленки ограничены условием полного обеднения пленки основными носителями заряда при минимальном внешнем смещении на p-n переходе (U= Umin):
 . 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента