|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2086043 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/30 H01L021/263 | | Аналоги изобретения: | 1. Резисторы. Справочник под общей редакцией И.И.Четверткова и В.М.Терехова. - М. Радио и связь, 1987, с. 85. 2. Зайцев Ю.В., Марченко А.Н., Ващенко И.И. Полупроводниковые резисторы в электротехнике. - М.: Энергоатомиздат, 1988, с. 18 и 19, рис. 1.9б. 3. Заявка Японии N 58032481, кл. H 01 C 7/04, 1983. 4. Патент Великобритании N 2025147, кл. H 01 K, 1980. |
| Имя заявителя: | Всероссийский электротехнический институт им.В.И.Ленина | | Изобретатели: | Асина С.С.
Горкин Е.В. | | Патентообладатели: | Всероссийский электротехнический институт им.В.И.Ленина |
Реферат | |
Использование: в производстве мощных полукремниевых резисторов таблеточного исполнения. Сущность: резистивный элемент, выполненный в виде диска из монокристаллического кремния п-типа проводимости, содержит радиационные дефекты с концентрацией от 3·1012 см-3 для кремния с удельным сопротивлением ρo= 700 Ом·см до 3·1013 см-3 для кремния с удельным сопротивлением ρo=150 Ом·см. Дефекты в кремнии создают путем облучения резистивного элемента пучком электронов с энергией 2-5 МэВ дозой от 2,5·1014 см-2 для кремния с ρo= 700 Ом·см до дозы 2,5·1015 см-2 для кремния с ρo=150 Ом·см. После облучения проводят термостабилизирующий отжиг. 2 с.п. ф-лы, 4 табл., 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента