На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ДИФФУЗИОННОЙ СВАРКИ ПОЛУСФЕР РОТОРА ШАРОВОГО ГИРОСКОПА | |
Номер публикации патента: 2085348 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | B23K020/00 | Аналоги изобретения: | 1. Питько В.В. и др. Исследование соединений полых шариков, выполненных диффузионной сваркой. Сборник научных трудов VII Всесоюзной научно-технической конференции N 5/Под ред. Н.Ф. Казакова.- М.: МинВУЗ РСФСР, 1973, с.117 - 125. 2. Диффузионная сварка роторов. Технологическая инструкция КФ 25.19090007.- Л.: ЦНИИ "Электроприбор", 1986. 3. Диффузионная сварка сферических роторов КФО.603.005.- Л.: ЦНИИ "Электроприбор", 1986. |
Имя заявителя: | Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор" | Изобретатели: | Щербак А.Г. Пешехонов В.Г. Анфиногенов А.С. Кедров В.Г. Агроскин Б.Н. Ежов Ю.А. Осипов С.М. Парфенов О.И. Андреев Р.П. | Патентообладатели: | Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор" |
Реферат | |
Изобретение относится к области точного приборостроения и может быть использовано при изготовлении тонкостенных сферических роторов шаровых гироскопов. Сущность изобретения состоит в размещении тонкостенных полусфер наружным диаметром Dp в полусферических выемках диаметра Dn сварочных пуансонов. Пуансоны устанавливают в центрирующем элементе и выполняют из материала, коэффициент термического расширения αп которого меньше, чем у материала полусфер αp . При этом диаметр Dp больше диаметра Dn. Сварочные пуансоны взаимно фиксируют, поджимая их осевым давлением P0. Температура сварки Тсв, до которой осуществляют плавный нагрев оснастки с полусферами и при которой производят изотермическую выдержку, превышает температуру Тc совпадения диаметров Dp и Dn, что вследствие различного теплового расширения полусфер и пуансонов определяет появление давления термонатяга, создающего радиальные напряжения σp на поверхности полусфер, эпюра распределения, величина и характер изменения которых обусловлены разницей &Dgr;T = (Тсв-Tc), соотношением αп и αp и значением P0. Температуру Тсв выбирают соответствующей температуре рекристаллизации материала полусфер. 7 ил.
|