|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГЕТЕРОСТРУКТУРА КРЕМНИЙ НА СТЕКЛЕ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2084987 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/20 | | Аналоги изобретения: | 1. Смирнов А.Г. Высоцкий В.А. и др. Высокоинформативные ЖК-экраны с активной матричной адресацией. Зарубежная электронная техника, N 4, 1989, с.25-32. 2 .D. Biegelsen, L.E. Fennell at. al. Origin of oriented crystal growth of radiantly melted silicon on SiO<SB>2</SB>. Appl. Phys. Lett. 1984, v.45, р.546-548. |
| Имя заявителя: | Величко Александр Андреевич | | Изобретатели: | Величко Александр Андреевич | | Патентообладатели: | Величко Александр Андреевич |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к конструкции гетероструктуры "кремний-на-стекле" и способу ее получения. Сущность: структура имеет следующую последовательность расположения слоев: подложка из нетермостойкого стекла, диэлектрический буферный слой CaF2, слой кремния, защитный слой CaF2, получаемые напылением в сверхвысоком вакууме с последующим отжигом в замкнутом технологическом цикле. 2 с.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента