Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2082127

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 95106770 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01L009/04    
Аналоги изобретения: 1. Патент ФРГ N 3436440, кл. G 01 L 9/06,1986. 2. Патент ГДР N 225501, кл. G 01 L 9/06, 1985. 

Имя заявителя: Научно-производственное предприятие "Персей" 
Изобретатели: Тиняков Ю.Н.
Михайленко В.А. 
Патентообладатели: Научно-производственное предприятие "Персей" 

Реферат


Использование: изобретение относится к датчикам давления, включающих полупроводниковый чувствительный элемент, выполненный по планарной микроэлектронной технологии, и может быть применено для измерения абсолютного, избыточного и разности давлений. Изобретение направлено на увеличение надежности конструкции при механических воздействиях, уменьшение дополнительной погрешности от монтажных и термомеханических напряжений, упрощение конструкции и снижение трудоемкости при изготовлении датчика давления. Сущность изобретения: датчик давления содержит полупроводниковый чувствительный элемент 1 с тензорезисторами, соединенный с кремниевой или стеклянной пластиной 2, герметично соединенные корпус 4 и крышку 5, в пространстве между которыми размещается герметично закрепленная эластичная гофрированная мембрана 6, имеющая металлические токоведущие дорожки 7 и контактные площадки 8, соединенные пайкой с контактными площадками полупроводникового чувствительного элемента 1. Новым в конструкции датчика является наличие эластичной мембраны 6, на которой методом поверхностного монтажа установлен полупроводниковый чувствительный элемент 1, полностью развязанный от корпуса датчика. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"