Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ВОЛНОВОДНО - КОПЛАНАРНЫЙ ПЕРЕХОД

Номер публикации патента: 2081482

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94022119 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01P005/107    
Аналоги изобретения: 1. Авторское свидетельство СССР N 1241316, кл. H 01 P 5/107, 19863. 2. Microwave Journal. 1992, N 10, p. 109 - 112. 

Имя заявителя: Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им.Н.Г.Чернышевского 
Изобретатели: Михайлов А.И.
Сергеев С.А. 
Патентообладатели: Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им.Н.Г.Чернышевского 

Реферат


Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано при построении сложных миниатюрных трактов и устройств. Целью изобретения является уменьшение носимых потерь и повышение прочности конструкции. В волноводно-копланарном переходе, содержащем отрезки прямоугольного и П-образного волноводов и плавный переход от одного к другому в виде клинообразного гребня, электрически соединенного с токонесущим проводником копланарной линии, отрезок копланарной линии, размещенной на диэлектрической подложке, заземляющий проводник которой электрически соединен с металлическим корпусом волновода, между копланарной линией и П-образным волноводом с фланцем введены отрезок микрополосковой линии и его плавный переход к копланарной линии, а диэлектрическая подложка выполнена многослойной, с числом слоев не меньше двух, верхним и нижними, причем эффективная диэлектрическая проницаемость нижних слоев меньше эффективной диэлектрической проницаемости верхнего слоя в 3- 5 раз. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"