Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ДИОКСИДА ТИТАНА ИЗ РАСПЛАВА В ТИГЛЕ

Номер публикации патента: 2079581

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5011853 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/20   C30B029/16    
Аналоги изобретения: Ткаченко В.Д. и др. Исследование монокристаллов диоксида титана, полученных кристаллизацией расплава в холодном тигле. - Известия АН СССР, сер. "Неорганические материалы", 1987, т. 23, N 4, с. 587 - 589. 

Имя заявителя: Титибу Онода Семент Корпорейшн (JP) 
Изобретатели: Хироси Матида[JP] 
Патентообладатели: Титибу Онода Семент Корпорейшн (JP) 
Номер конвенционной заявки: 3-131870 
Страна приоритета: JP 

Реферат


Изобретение относится к способу выращивания кристаллов из расплава методом Чохральского с получением монокристаллов. В поверхности расплава предусмотрен регулятор с целью регулирования потока расплава по его поверхности, который включает цилиндрическую стенку, которая выполнена со средствами для открывания в виде щелей. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"