Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ САПФИРОВЫХ ПОЛУСФЕРИЧЕСКИХ ЗАГОТОВОК

Номер публикации патента: 2078154

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94035336 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/34    
Аналоги изобретения: 1. Бородин В.А., Сидоров В.В., Стериополо Т.А. и др. Исследование процесса кристаллизации способом локального формообразования и создание установки "Кристаллизационный центр" для выращивания сложных сапфировых изделий из расплава. - Известия АН СССР, сер. "Физика", 1988, т. 52, N 10, с. 2009. 2. Авторское свидетельство СССР N 1691433, кл. C 30 B 15/34, 1991. 

Имя заявителя: Институт физики твердого тела РАН 
Изобретатели: Курлов В.Н.
Эпельбаум Б.М. 
Патентообладатели: Институт физики твердого тела РАН 

Реферат


Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов из расплава с изменяемой формой поперечного сечения. Сущность предлагаемого способа состоит в том, что затравливание производят на затравочную пластину по всему периметру трубчатого формообразователя с образованием полого замкнутого объема. При этом торцевую поверхность формообразователя выполняют с центральной выемкой, имеющей форму сферического сегмента с высотой, удовлетворяющей соотношению: где R - радиус сферического сегмента, d - толщина стенки заготовки. Вытягивание производят из столбца расплава, при этом после перехода полого профиля в монолитный заготовку вытягивают на длину равную высоте сферического сегмента h, после чего производят резкий отрыв кристалла от формообразователя. Можно получить дополнительный технический результат - повышение производительности выращивания полусферических заготовок, т.е. получение нескольких полусферических заготовок за один ростовой процесс. Для этого после отрыва полусферической заготовки ею производят повторное затравливание на весь периметр формообразователя и продолжают вытягивание другой заготовки. Число затравливаний зависит от необходимого количества заготовок. Этот дополнительный технический результат можно получить еще более эффективным образом. Для этого после вытягивания заготовки на необходимую длину сообщают полость формообразователя через боковое отверстие с атмосферой, а после начала роста следующей заготовки это сообщение прекращают. 2 з.п.ф-лы, 7 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"