|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ МАГНИТНЫХ ОКСИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2077618 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B033/04 C30B029/16 H01F010/18 | | Аналоги изобретения: | 1. Кацнельсон Э.С. Новые магнитные материалы микроэлектроники: 10-я Всесоюзная школа-семинар. - Рига, 1986, с. 185. 2. Веселаго В.Г. и др. Фотоферромагнитный эффект в магнитном полупроводнике CdCr<SB>2</SB>Se<SB>4</SB> ФТТ, 1984, т.26, N 7, 14 - 18. 3. Нisatake Keizo et al. Photoinduced effect on the permeability of single crystal lithium ferrite. Jap. J. Appl. Phus., 1976, v.15, N 9, p.1823 - 1824. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им.Н.Г.Чернышевского | | Изобретатели: | Свердлова А.М.
Кабанов В.Ф.
Отавина Л.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им.Н.Г.Чернышевского |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в микроэлектронике и оптоэлектронике для записи и считывания информации. Целью изобретения является обеспечение возможности перехода пленок EuO и Eu1-x SmxO из ферромагнитного состояния и парамагнитное. Способ включает освещение пленок светом с длиной волны 0,4 - 0,7 мкм при температуре жидкого азота с интенсивностью L(лк), исключающей нагрев пленок и удовлетворяющей условию  , где Io - начальный темновой ток (mA); n - коэффициент, равный 1,2 - 1,5, и изменение магнитного состояния фиксируют по изменению энергии активации -&Dgr;E(эВ). Способ обеспечивает наиболее простое размагничивание пленок. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента