Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ

Номер публикации патента: 2077616

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94022002 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/34    
Аналоги изобретения: 1. Borodin V.A. at al. The variable shaping technique - a new method of the sappfire growt. - Cryst. Res. Technol., 1985, v. 20, N 6, p. 833. 2. Бородин В.А. и др. Распределение газовых включений в профилированных кристаллах сапфира. - Неорганические материалы, 1985, т.21, N 5, с.728. 3. Авторское свидетельство СССР N 1691433, кл. C 30 B 15/34, 1991. 

Имя заявителя: Институт физики твердого тела РАН 
Изобретатели: Курлов В.Н. 
Патентообладатели: Институт физики твердого тела РАН 

Реферат


Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов из расплава с изменяемой формой поперечного сечения. Сущность предлагаемого способа состоит в том, что затравливание производят на затравочную пластину по всему периметру трубчатого формообразователя с образованием полого замкнутого объема и вытягивают из столба расплава на торце формообразователя, погруженного в тигель и ростовой камере. При этом формообразователь снабжен разгерметизирующим некапиллярным отверстием, которое на стадии роста монолитного кристалла находится ниже уровня расплава. При переходе к полому профилю трубчатую полость формообразователя сообщают через указанное отверстие с ростовой камерой путем опускания уровня расплава в тигле ниже разгеметизирующего отверстия, а при переходе от полого профиля к монолитному прекращают сообщение между полостью формообразователя и ростовой камеры путем поднятия уровня расплава до полного погружения разгерметизирующего отверстия в расплав.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"