Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2077615

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 95109755 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/00   C30B029/06    
Аналоги изобретения: 1. Патент Франции N 2413124, кл. B 01 J 17/18, 1979. 2. Патент ГДР N 155733, кл. C 30 B 29/02, 1982. 3. Заявка ЕПВ N 0042901/131, кл. C 30 B 15/00. 4. Патент США N 4436577, кл. C 30 B 15/00, 1984. 

Имя заявителя: Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" 
Изобретатели: Сальник З.А.
Микляев Ю.А. 
Патентообладатели: Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" 

Реферат


Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского с однородным распределением кислорода по всей длине кристалла при обеспечении его бездислокационной структуры, что позволяет использовать эти кристаллы в производстве интегральных схем с высоким уровнем интеграции. Это достигается тем, что в способе выращивания монокристаллов кремния вытягиванием на вращающуюся затравку из расплава в тигле, поверхность которого состоит последовательно из цилиндрической и сферической частей, включающем изменение частоты вращения тигля и поддержание постоянной частоты вращения кристалла (Wкр.), при Wкр>Wт, изменение частоты вращения тигля (Wт) по мере выращивания осуществляют в зависимости от того, на каком участке тигля находится уровень расплава: цилиндрическом или сферическом. При этом при выращивании кристалла из цилиндрической части тигля Wт увеличивают на (0,1-0,5) об/мин, а при выращивании из сферической части тигля - уменьшают на (0,15-0,45) об/мин на каждый сантиметр длины кристалла. 1 табл., 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"