Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2076909

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 95107207 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/04   C30B029/06    
Аналоги изобретения: 1. Патент Японии N 50-7557, кл. B 01 J 17/18, 1975. 2. Патент США N 4497777, кл. C 30 B 15/00, 1985. 3. Гускина Л.Г. и др. Влияние условий выращивания на распределение кислорода в монокристаллах кремния. Электронная техника. Серия: Материалы. - 1983, вып.2(175), с. 37 - 38. 4. Сальник З.А. и др. Содержание кислорода в монокристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского. Неорганические материалы, 1984, т.20, N 2, с. 181 - 183. 

Имя заявителя: Акционерное общество открытого типа "Подольский химико-металлургический завод" 
Изобретатели: Сальник З.А.
Микляев Ю.А. 
Патентообладатели: Акционерное общество открытого типа "Подольский химико-металлургический завод" 

Реферат


Цель изобретения - управление концентрацией кислорода (получение заданной величины Nо) в бездислокационных монокристаллах кремния, выращиваемых по методу Чохральского. Эта цель достигается тем, что в способе выращивания монокристаллов кремния по Чохральскому с использованием установленного внутри нагревателя кварцевого тигля диаметром 300 ± 30 мм при отношении площади поверхности контакта расплава с тиглем к площади открытой поверхности контакта расплава 1,5 - 4,0 расстояние (h) от начального уровня расплава в тигле до верхнего края нагревателя поддерживают равным 2 - 9 cм, а увеличение (уменьшение) концентрации кислорода в верхней части растущего монокристалла на каждый 0,4 ± 0,2·1017 см-3 проводят путем повышения (понижения) уровня расплава на 1 см в пределах интервала h. Предложенное решение позволяет выращивать монокристаллы кремния для широкого класса полупроводниковых приборов с различными требованиями к концентрации кислорода. 1 ил., 1 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"