Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОРОДНО ЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2076155

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 93035824 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/04   C30B031/00    
Аналоги изобретения: Патент ГДР N 183447, кл. B 01J 17/00, 1975. 

Имя заявителя: Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" 
Изобретатели: Сальник З.А.
Микляев Ю.А.
Наумов А.В.
Сальник О.С.
Фомичев А.В.
Волков В.И. 
Патентообладатели: Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" 

Реферат


Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния методом Чохральского с последующим их применением при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности мощных и силовых транзисторов, силовых диодов, тиристоров и т. д., и позволяет повысить выход в годную продукцию как при выращивании монокристаллического кремния, так и при изготовлении полупроводниковых приборов на основе такого кремния. Это достигается тем, что при выращивании монокристалла проводят частичное легирование кремния фосфором, а долегирование до заданного уровня удельного электрического сопротивления (УЭС) осуществляют термодонорами путем отжига кремния или 350 - 500oС, совмещая или сочетая его с температурными обработками, содержащими эти температуры в цикле изготовления прибора, причем содержание и распределение доноров, обусловленных легированием фосфором, а также содержание и распределение термодоноров выбирают таким образом, чтобы суммарная концентрация доноров в каждой точке монокристалла кремния в готовых приборах соответствовала заданному уровню УЭС. 5 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"