|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ЛОКАЛЬНОЙ ЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ |  |
Номер публикации патента: 2072584 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/208 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 3993511, кл. H 01L 21/208, 1976. 2. Патент США N 4298410, кл. H 01L 21/208, 1981. |
| Имя заявителя: | Гершанов Владимир Юрьевич | | Изобретатели: | Гершанов Владимир Юрьевич
Гармашов Сергей Иванович
Гершанов Юрий Владимирович | | Патентообладатели: | Гершанов Владимир Юрьевич
Гармашов Сергей Иванович
Гершанов Юрий Владимиров |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Результатом является получение контролируемого поверхностного профиля состава эпитаксиального слоя. Сущность изобретения: способ включает локальное нанесение на поверхность монокристаллической подложки материала, образующего с материалом подложки жидкую фазу при температуре меньшей температуры плавления подложки, и последующей термообработки. В процессе термообработки подложку подвергают импульсному нагреву, причем длительность импульсов подводимой мощности меньше промежутков между импульсами. Ориентация подложки выбирается таким образом, чтобы ее растворение и кристаллизация были затруднены межфазными процессами. В этих условиях процессы растворения протекают преимущественно в направлении перпендикулярном поверхности подложки, а процесс кристаллизации в направлении, параллельном поверхности подложки. В состав жидкой фазы вводится по крайней мере один (или несколько) дополнительный легирующий компонент на стадии подготовки подложки или в процессе термообработки. В процессе термообработки изменяют среднюю температуру процесса, амплитуду, длительность импульсов подводимой мощности и промежутков между ними. Материал, образующий с материалом подложки жидкую фазу, может быть нанесен на плоскую поверхность подложки в окна маскирующего слоя или в углубления на ее поверхности, полученные любым стандартным способом. Способ позволяет получить слои на локальных участках подложки с контролируемым распределением по составу и свойствам (уровню легирования, ширине запрещенной зоны и т.д.) вдоль поверхности слоя. 2 з.п.ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента