Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОРИЕНТИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Номер публикации патента: 2068026

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94019370 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C23C004/12   H01F041/14    
Аналоги изобретения: Jounal of Magnetism and Magnetic materials 97(1991), 171-177. Письма ЖЭТФ, т.20, вып.5, с.304-307. 

Имя заявителя: Институт проблем микроэлектроники и особочистых материалов РАН 
Изобретатели: Левашов В.И.
Матвеев В.Н. 
Патентообладатели: Институт проблем микроэлектроники и особочистых материалов РАН 

Реферат


Способ получения ориентированных монокристаллических пленок магнитных материалов относится к области выращивания монокристаллических пленок и может быть использован для изготовления пленочных магнитных головок и магниторезистентных датчиков. Изобретение решает задачу получения монокристаллической пленки заданной ориентации на подложке с любой ориентацией или аморфной. Способ включает лазерное напыление в вакууме на подложку в магнитном поле, направление которого составляет с направлением напыления, угол, равный углу между кристаллографическим направлением легкого намагничивания и перпендикуляром к наиболее плотноупакованной кристаллографической плоскости материала пленки, подложку располагают так, чтобы для заданной ориентации монокристаллической пленки на подложке кристаллографическое направление легкого намагничивания совпадало с направлением магнитного поля, а наиболее плотноупакованная кристаллографическая плоскость была перпендикулярна направлению напыления, причем напыление проводят при температуре подложки не выше температуры Кюри материала пленки. Для увеличения размеров монокристаллическую пленку после напыления отжигают. Для увеличения относительного магнитосопротивления отжиг проводят в магнитном поле, направленном вдоль кристаллографической оси легкого намагничивания.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"