|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2067626 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B015/34 | | Аналоги изобретения: | Шаскольская М.П. Кристаллография, М.: Высшая школа, 1976, с.380-381. Попов Г.М., Шафрановский И.И. Кристаллография, М.: Высшая школа, 1972, с.95-128. Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов, М.: Наука, 1988, с.14-16. Петров Т.Г. и др. Выращивание кристаллов из растворов. Л..: Недра, 1983. Вилько К.Г. Выращивание кристаллов, Л.: Недра, 1977. |
| Имя заявителя: | Гармаш Владимир Михайлович | | Изобретатели: | Гармаш Владимир Михайлович
Гармаш Михаил Владимирович | | Патентообладатели: | Гармаш Владимир Михайлович
Гармаш Михаил Владимирови |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения монокристаллических материалов, используемых в различных отраслях народного хозяйства. Изобретение направлено на повышение качества кристаллов и в частности, оптической однородности, распределение специально вводимых или естественных примесей и свойств, обусловленных анизотропией. Способ выращивания осуществляют путем вытягивания из питающей среды ориентированной затравки через формообразователь с приданием фронту кристаллизации формы, проекция которой на плоскость перпендикулярно направлению вытягивания кристалла совпадает с сечением простой формы роста кристалла в этой плоскости. Кроме того, фронту кристаллизации придают форму путем выполнения в формообразователе отверстия, совпадающего с сечением простой формы роста кристалла в плоскости, перпендикулярной направлению вытягивания кристалла, а в области фронта кристаллизации создают тепловое поле, изотермы которого по своей форме совпадают с сечением простой формы роста кристаллов в плоскости, перпендикулярной направлению вытягивания кристалла. 2 з. п. ф-лы. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента