Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Номер публикации патента: 2067626

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94044902 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/34    
Аналоги изобретения: Шаскольская М.П. Кристаллография, М.: Высшая школа, 1976, с.380-381. Попов Г.М., Шафрановский И.И. Кристаллография, М.: Высшая школа, 1972, с.95-128. Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов, М.: Наука, 1988, с.14-16. Петров Т.Г. и др. Выращивание кристаллов из растворов. Л..: Недра, 1983. Вилько К.Г. Выращивание кристаллов, Л.: Недра, 1977. 

Имя заявителя: Гармаш Владимир Михайлович 
Изобретатели: Гармаш Владимир Михайлович
Гармаш Михаил Владимирович 
Патентообладатели: Гармаш Владимир Михайлович
Гармаш Михаил Владимирови 

Реферат


Изобретение относится к технологии получения монокристаллических материалов, используемых в различных отраслях народного хозяйства. Изобретение направлено на повышение качества кристаллов и в частности, оптической однородности, распределение специально вводимых или естественных примесей и свойств, обусловленных анизотропией. Способ выращивания осуществляют путем вытягивания из питающей среды ориентированной затравки через формообразователь с приданием фронту кристаллизации формы, проекция которой на плоскость перпендикулярно направлению вытягивания кристалла совпадает с сечением простой формы роста кристалла в этой плоскости. Кроме того, фронту кристаллизации придают форму путем выполнения в формообразователе отверстия, совпадающего с сечением простой формы роста кристалла в плоскости, перпендикулярной направлению вытягивания кристалла, а в области фронта кристаллизации создают тепловое поле, изотермы которого по своей форме совпадают с сечением простой формы роста кристаллов в плоскости, перпендикулярной направлению вытягивания кристалла. 2 з. п. ф-лы. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"