|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК |  |
Номер публикации патента: 2066504 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L043/08 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4847584, кл. НО1 L 43/00, 1988. 2. Авторское свидетельство СССР N 1807534, кл. Н О1 L 43/08, 1993. |
| Имя заявителя: | Институт проблем управления РАН | | Изобретатели: | Аверин Н.Н.
Добрынин С.Л.
Касаткин С.И.
Муравьев А.М.
Носков А.Н. | | Патентообладатели: | Институт проблем управления РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в тахометрии, датчиках перемещений, устройствах измерения постоянного и переменного магнитного поля. Сущность: магниторезистивный датчик, содержащий подложку, на которой последовательно расположены первая магнитная пленка, разделительная пленка, вторая магнитная пленка, проводниковый и защитный слои, отличающийся тем, что на противоположной разделительной пленке поверхности по меньшей мере одной из магнитных пленок расположен дополнительный защитный слой, выполненный из материала, идентичного по своим физико-химическим свойствам материалу разделительной пленки и устойчивого к воздействиям технологического процесса образования топологии проводникового слоя, причем толщина дополнительного защитного слоя не превышает толщины разделительной пленки. 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента