|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 2066483 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G11C011/14 | | Аналоги изобретения: | 1. Stoller S.M., Richards R.B. Reactor Handbook, v.2 "Fuel Reprocessing", Yntersci. Publ. N-Y, L, T., 1961, p.17, 147-149,161. 2. Zilberman B.Ya., Lelyuk G.A., Mashkin A.N. Fedorov Yu.S. "The behevior of decomposition products of Prydrazine in Purex-process", Proc. Intern. Conf. "Solvent Extraction, 1990 (ISEC'90) "Kyoto (Jap), Elsevier 1992, part A, p.759. 3. Phillips C. "Uranum-plutonium partition by pulsed column in the first cycle of the three eycle termal oxide reprocessing plant", proc. Intern. Conf. "Waste management 92" Tucson, USA, 1992, p.1041. |
| Имя заявителя: | Институт проблем управления РАН | | Изобретатели: | Васильева Н.П.
Вартанян В.И.
Касаткин С.И.
Муравьев А.М. | | Патентообладатели: | Институт проблем управления РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации. Целью изобретения является уменьшение токов управления при тех же размерах магниторезистивной ячейки памяти, что приведет к увеличению плотности информации благодаря уменьшению размеров полупроводниковых схем управления, расположенных на той же подложке, уменьшению технологических трудностей и уменьшению мощности потребления. Поставленная цель достигается установкой постоянного магнита с обратной стороны кремниевой подложки, создающего однородное магнитное поле вдоль оси трудного намагничивания магниторезистивных пленок, величина которого выбрана в пределах 0,2-0,5 поля анизотропии магнитных пленок. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента