|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ СЛОЯ ПЛАЗМЫ |  |
Номер публикации патента: 2066051 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01N022/00 | | Аналоги изобретения: | 1. Balsey. B.B.I. et al. The MST - radar at Poker Plate, Alaska, Radio Sci., 1980, v.15, N 2, p. 213-223. 2. Ионосферные исследования.- М.: Междуведомственный геофизический комитет при Президиуме АН СССР, 1989, N 46, с.109-116. |
| Имя заявителя: | Институт информационных технологий и прикладной математики СО РАН | | Изобретатели: | Терехов Л.С.
Зеленков В.Е.
Шапцев В.А. | | Патентообладатели: | Институт информационных технологий и прикладной математики СО РАН |
Реферат | |
Использование: для диагностики неоднородного слоя плазмы с помощью радиоимпульсов, для контроля параметров плазмы в технологических установках, в исследованиях по термоядерному синтезу и космической плазме, определению параметров плазмы ионосферы с целью прогноза распространения отражаемых ионосферными слоями радиоволн. Сущность изобретения: в способе определения профиля электронной концентрации слоя плазмы начинают зондирование слоя плазмы радиоимпульсами с установленными до начала зондирования шириной спектра излучаемого радиоимпульса, полосой частот, в которой измеряется время задержки отраженного радиоимпульса относительно излученного, шагом по несущей частоте и исходными несущими частотами f1 и f2 и измеряют соответствующие времена задержек t1 и t2, а также определяют отношение μ2 сигнал/шум на частоте f2 для отраженного слоем радиоимпульса. Определяют оптимальную ширину спектра δfi, где i = 3,4,...,n, для зондирования на каждой последующей частоте fi, начиная с третьей частоты f3, используя предыдущие измерения времен задержек ti-1 и ti-2, соответствующие несущие частоты fi-1 и fi-2, а также отношение μi-1 на несущей частоте fi-1, по формуле: α, где  - параметр, числовое значение которого определяется огибающей радиоимпульса (для трапецеидальной огибающей α = 4π). Излучают радиоимпульс на несущей частоте fi fi-1+δfi с шириной спектра δfi и измеряют время задержки ti отраженного слоем радиоимпульса в полосе частот δfi на несущей частоте fi. По полученному в результате зондирования массиву чисел (ti, fi) определяют профиль электронной концентрации слоя плазмы. 1 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента