|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ФОТОПРИЕМНОЙ ЯЧЕЙКИ |  |
Номер публикации патента: 2065224 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/20 | | Аналоги изобретения: | 1. Фотоприемники и фотопреобразователи. Сб.статей под ред. Ж.И.Алферова, Ю.В.Шмарцева.- Л.: Наука, 1986, с.7. 2. Yano M. et all. Moleculur beam epitaxial grows of InAs. Jap Journal of applied of Phys.- V.16, N 12, р.2131 - 2137, 1977. |
| Имя заявителя: | Величко Александр Андреевич | | Изобретатели: | Величко Александр Андреевич
Илюшин Владимир Александрович | | Патентообладатели: | Величко Александр Андреевич
Илюшин Владимир Александрови |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции гетероэпитаксиальной структуры. Сущность изобретения: полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки содержит монокристаллическую подложку, размещенный на ней гетероэпитаксиальный слой полупроводника n-типа с нарушенным слоем на границе раздела. Этот слой содержит два сильно легированных n+-слоя, первый с толщиной, равной толщине нарушенного слоя, расположен на границе раздела с подложкой, а второй выполнен туннельно-непрозрачным для неосновных носителей и размещен на расстоянии, большем удвоенной длине экранирования Дебая от первого. В промежутке между первым и вторым n+-слоями сформирован p+-слой. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента