Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ

Номер публикации патента: 2064541

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 4944671 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B019/04   C30B029/40    
Аналоги изобретения: 1. ЕПВ <SP>o</SP>0229263, кл. С ЗО B 23/02, 1987. 2. Лозовский В.Н. и др. Особенности роста пятикомпонентных твердых растворов Al<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>In<SB>1-x-y</SB>P<SB>2</SB>A<SB>1-2</SB>- арсенида галлия из раствора-расплава с подпиткой. 7-я Всес.конф. по росту кристаллов: Симп. по молекул.-луч.эпитаксии, 14-19 ноября 1988. Расш.тез. Т.2.- М.: 1988, с. 334 - 335. 

Имя заявителя: Волгодонский филиал Новочеркасского государственного технического университета 
Изобретатели: Лозовский В.Н.
Лунин Л.С.
Сысоев И.А. 
Патентообладатели: Волгодонский филиал Новочеркасского государственного технического университета 

Реферат


Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм. Изобретение обеспечивает повышение качества гетерограницы, расширение спектрального диапазона материала от 0,59 до 0,87 мкм и получение однородного по составу эпитаксиального слоя. Способ включает осаждение эпитаксиального слоя на подложку GaAs из раствора-расплава с подпиткой его из кристалла-источника, следующего состава ,ат. %: Аl - 1,0-17,0, Р - 0,5-41,0, As - 9,0- 49,5, Ga - остальное. Состав раствора-расплава, ат. %: Al - 0,0019 -0,0560; P-0,0130-2,0500; As - 3,580-22,300; In - 0,8660-92,4065; Ga - остальное. Процесс ведут в поле с температурным градиентом между источником и подложкой. Получены слои толщиной 62-96 мкм однородные по составу. 2 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"