Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ YBa2Cu3O7 - δ

Номер публикации патента: 2064023

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5054045 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B009/06   C30B029/22    
Аналоги изобретения: 1. T. Wolf at el. Growth of thich YBa<SB>2</SB>Cu<SB>3</SB>O<SB>7</SB> -б single crystals frot Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB> crucibles. - J.Cryst. Growth, 1989, 96, 1010-1018. 2. Сб. Получение, свойства и анализ высокотемпературных сверхпроводящих материалов и изделий. - Свердловск, 1990, с.74-78. 

Имя заявителя: Институт физики твердого тела РАН 
Изобретатели: Жохов А.А.
Емельченко Г.А. 
Патентообладатели: Институт физики твердого тела РАН 

Реферат


Изобретение относится к области выращивания монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников YВа2С3О7-б из высокотемпературных растворов, включающий нагрев исходной смеси оксидов Y2О3, ВаО2 и СuО до плавления, гомогенизацию раствора-расплава, охлаждение до температуры роста и выращивание при постоянной температуре. В начале процесса образуют питатель на дне тигля и ведут перекристаллизацию питателя на опущенные в расплав кристаллодержатели при градиенте температур, причем состав шихты берут в соотношении (моль.) : (0,041-0,155) Y2О3; (3,01-3,06) ВаО, (6,9-6,60) СuО, расплавляют, гомогенизируют и охлаждают со скоростью 1-5 град/час до температуры 910-960oС, перемешивая раствор-расплав вращением тигля со скоростью 1-40 об/мин при вертикальном градиенте 2-10o/см, обеспечивая дно холоднее поверхности расплава, а перекристаллизацию питателя ведут на опущенные кристаллодержатели (при необходимости с затравками) при обратном градиенте температур 0,5-2 град/см, скорости вращения тигля 1-40 об/мин и темпера - туре роста 910-960oС. Указанные условия обеспечивают получение более крупных объемных монокристаллов по сравнению с прототипом. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"