|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ N - P - ПЕРЕХОДОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CDXHG1 - xTE |  |
Номер публикации патента: 2062527 |  |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Кремаренко А.А.
Ловягин Р.Н.
Овсюк В.Н. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления фотоприемников инфракрасного излучения. Сущность изобретения: на исходных кристаллах Cdx Hg1-x Те с χ = 0,190-0,250 p-типа проводимости размещают индиевую фольгу и помещают полученный сендвич в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой. Затем проводят нагрев до температуры 220-245 град.С и отжиг при этой температуре в течение времени 500-1000 секунд. 1 ил., 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента