|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОЧИСТКИ ВНУТРЕННЕЙ ПОВЕРХНОСТИ КВАРЦЕВЫХ ИЗДЕЛИЙ |  |
Номер публикации патента: 2061804 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B029/18 C30B033/12 | | Аналоги изобретения: | 1. Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов.- М.: Металлургия, 1972, с. 224. 2. Патент США N 4786352, кл. С 23 F 1/02, 1988. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный университет | | Изобретатели: | Раскевич А.М.
Соколов В.И.
Шумило В.И.
Яценко О.Б.
Ергаков В.К.
Вивдюк В.Г. | | Патентообладатели: | Воронежский государственный университет |
Реферат | |
Использование: в технологии получения полупроводниковых материалов высокой чистоты. Сущность изобретения: способ включает ионноплазменную обработку поверхности кварца в плазме ВЧ-разряда с использованием аргона и кислорода в качестве компонентов плазмообразующей газовой смеси при давлении ниже атмосферного. Способ отличается тем, что плазму ВЧ-разряда возбуждают индуктивным способом из внешнего источника, формируя плазменную струю путем создания избыточного давления плазмообразующей газовой смеси внутри источника и кварцевого изделия по отношению к окружающему их предварительно вакуумируемому рабочему объему с остаточным давлением не выше 5·10-3 Па, при частоте ВЧ-разряда 3oC13,56 МГц, мощности его 700oC25000 Вт, времени обработки 2oC20 мин и парциальном давлении аргона и кислорода 2·10-2 oC 1·10-1 Па и 6·10-2 oC 3·10-1 Па соответственно. После обработки кварцевых ампул их использовали для получения особочистых веществ в идентичных условиях. После получения веществ определяли концентрацию свободных электронов при 77 К, которая не превышала 2·1014см-3, что подтверждает высокую чистоту материалов, полученных в обработанных по предложенным режимом ампулах. 1 н.з.п.ф-лы, 1 ил. 1
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента